С 20 по 21 апреля 2023 года в Национальном исследовательском университете «Московский институт электронной техники», г. Москва прошла юбилейная XXX Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Микроэлектроника и информатика – 2023».
На 11 секциях конференции были заслушаны 242 доклада, в том числе 168 студенческих, 52 аспирантских, остальные – вне конкурса из Беларуси, Казахстана, Мьянмы и России, в том числе из институтов РАН: ФТИАН им. К.А. Валиева, ИФЭ им. А.Н. Фрумкина, ИМЭ РАН, ИРЭ РАН, ИПЛИТ РАН, ИАПУ ДВО РАН и других; из вузов и организаций Москвы и Подмосковья: МИФИ, МФТИ, МАИ, МГТУ «Станкин», АО «НИИМЭ», АО «Микрон», АО «Ангстрем», АО НПЦ «ЭЛВИС» и др., а также из Абакана, Владимира, Владивостока, Воронежа, Йошкар-Олы, Екатеринбурга, Казани, Омска, Ростова-на-Дону, Рязани, Санкт-Петербурга, Таганрога, Томска, Ярославля.
В работах были представлены результаты теоретических и практических исследований молодых ученых в области материалов электроники; оборудования, проектирования и технологии полупроводниковых приборов, твердотельных приборов, биомедицинской электроники, интегральных радиоэлектронных устройств и вычислительных систем, вычислительной техники, связи, информационно-коммуникационных технологий, информационной безопасности; вопросов экономики, организации и управления предприятиями электроники и экологического контроля в электронной промышленности и в окружающей среде.
На конференции были представлены два доклада: «Компьютерное моделирование процессов структурообразования наночастиц серебра» Череповской Арины Александровны (студентки пятого курса направления подготовки 44.03.05 Педагогическое образование, направленность (профили): Математика, Физика) и «Применение бинарных сплавов серебра в устройствах фазоинверсной памяти» Рыжковой Дарьи Антоновны (аспиранта 3 курса направления подготовки 03.06.01 Физика и астрономия, профиль 01.04.07 Физика конденсированного состояния, старшего преподавателя) кафедры математики, физики и информационных технологий Института естественных наук и математики Хакасского государственного университета им. Н. Ф. Катанова.
Представленные работы были посвящены исследованию свойств металлических нанокластеров серебра и его бинарных сплавов с золотом и серебром. В них рассматривались закономерности структурообразования под действием термодинамических и кинетических факторов с позиции возможного использования в устройствах фазоинверсной памяти и различных плазмонных приложениях.
По результатам выступления доклад Рыжковой Д. А. занял второе место в секции «Материалы микро- и наноэлектроники»
